2N7002A
9
2.5
8
2.0
7
6
5
1.5
4
3
2
V GS = 5V
V GS = 10V
1.0
0.5
1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
I D = 250μA
100
10
C iss
C oss
1.0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1
0
C rss
5 10 15 20 25 30 35
40
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
0.1
T A = 150°C
T A = 125°C
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
0.01
0.001
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
2N7002A
Document number: DS31360 Rev. 12 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
2N7002DW-7 MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363
2N7002DW MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6
2N7002E-7-F MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
2N7002ET3G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
2N7002KT3G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
2N7002KW MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
2N7002K MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
相关代理商/技术参数
2N7002-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002AK,215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:2N7002AK/SOT23/REELLP// 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:2N7002AK/SOT23/REELLP// - Tape and Reel
2N7002AQ-13 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 115mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000
2N7002AQ-7 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 115mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000
2N7002BK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.35ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur
2N7002BK,215 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2N7002BK215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
2N7002BKM 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 0.45A SOT883 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.45A, SOT883 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 0.45A, SOT883; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:450mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; No. of Pins:3;RoHS Compliant: Yes